时间：2025/6/3 23:06:27
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SI4884DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于高频开关应用和功率转换电路。其封装形式为 TSOT23-6L 小型表面贴装封装，适合高密度设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻（Rds(on)）：57mΩ
栅极电荷：13nC
开关频率：高达 2MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TSOT23-6L
SI4884DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频 DC/DC 转换器、负载开关和其他功率管理应用。
3. TrenchFET 第三代技术优化了器件的电气性能和热性能。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 小型 TSOT23-6L 封装，适合紧凑型设计。
6. 宽泛的工作温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 移动设备中的 DC/DC 转换器。
2. 笔记本电脑和平板电脑的电源管理模块。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 工业控制中的信号切换。
5. LED 照明驱动电路。
6. 各类便携式电子设备的功率调节系统。
SI4862DY, SI4426DY, BSC016N06NSG
