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SI4884DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/3 23:06:27 查看 阅读:5

SI4884DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于高频开关应用和功率转换电路。其封装形式为 TSOT23-6L 小型表面贴装封装,适合高密度设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻(Rds(on)):57mΩ
  栅极电荷:13nC
  开关频率:高达 2MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TSOT23-6L

特性

SI4884DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少功率损耗。
  2. 高速开关性能,适合高频 DC/DC 转换器、负载开关和其他功率管理应用。
  3. TrenchFET 第三代技术优化了器件的电气性能和热性能。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  5. 小型 TSOT23-6L 封装,适合紧凑型设计。
  6. 宽泛的工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行。

应用

这款 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 移动设备中的 DC/DC 转换器。
  2. 笔记本电脑和平板电脑的电源管理模块。
  3. 电池供电设备中的负载开关。
  4. 工业控制中的信号切换。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 各类便携式电子设备的功率调节系统。

替代型号

SI4862DY, SI4426DY, BSC016N06NSG

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