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AON6932A 发布时间 时间:2025/4/30 18:50:01 查看 阅读:14

AON6932A是Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高效能电源管理应用。其小尺寸封装和出色的电气性能使其成为便携式电子设备、消费类电子产品以及通信设备的理想选择。
  AON6932A的额定电压为30V,适合在低压环境下工作,同时具备良好的热稳定性和可靠性,确保在各种复杂电路中的长期使用。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:14.7A
  导通电阻(典型值,Vgs=4.5V):1.5mΩ
  导通电阻(最大值,Vgs=4.5V):2.0mΩ
  栅极电荷:10nC
  开关速度:快速
  封装形式:TOLL

特性

AON6932A的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,满足现代电源转换需求。
  3. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于布局。
  4. 高电流承载能力,适应大功率应用场景。
  5. 良好的热特性和可靠性,确保在极端条件下的稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

AON6932A广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器:作为主开关或同步整流管,提高转换效率。
  2. 开关电源:用于初级侧或次级侧开关,优化电源设计。
  3. 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机。
  4. 电池管理系统:实现高效的充电和放电管理。
  5. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、平板电脑等。
  6. 通信设备:基站电源模块、路由器电源等。
  7. 工业自动化:各类工业控制和监测设备。

替代型号

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AON6932A参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥4.32395卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 N 通道(半桥)
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A,36A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1037pF @ 15V
  • 功率 - 最大值3.6W,4.3W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)