时间：2025/7/10 2:22:45
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SI4882DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的 PowerPAK? SO-8 封装，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，非常适合于需要高效能功率转换的应用场景。这种 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理电路中。
型号：SI4882DY-T1-GE3
封装：PowerPAK? SO-8
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：2.5mΩ
ID（连续漏极电流）：118A
Qg（总栅极电荷）：9nC
fMAX（最大工作频率）：2MHz
VGS(th)（栅极开启电压）：2.5V
Tj（结温范围）：-55°C 至 +175°C
SI4882DY-T1-GE3 的主要特点是其极低的导通电阻 RDS(on)，仅为 2.5mΩ，这使得它在大电流应用中能够显著降低功耗。
此外，该器件的栅极电荷较低（仅 9nC），有助于实现更快的开关速度和更高的效率，同时减少了开关损耗。
其漏源电压 VDS 高达 60V，能够承受较高的电压波动，而连续漏极电流 ID 最大可达 118A，确保了其在高功率环境下的稳定运行。
由于采用了 PowerPAK? SO-8 封装技术，该 MOSFET 提供了卓越的散热性能，使其能够在高温条件下持续工作，结温范围为 -55°C 至 +175°C。
最后，它的栅极开启电压 VGS(th) 较低（2.5V），便于与低压逻辑电路直接兼容，简化了设计流程。
SI4882DY-T1-GE3 广泛应用于多种高效率电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 笔记本电脑和台式机中的 DC-DC 转换器；
2. 电信设备及服务器电源中的负载开关；
3. 汽车电子系统中的电机驱动控制；
4. LED 照明系统的调光和驱动电路；
5. 各种电池供电设备中的保护和功率管理模块；
6. 工业自动化领域的高功率逆变器和变频器设计。
SI4870DY, SI4884DY, IRF7843
