时间：2025/5/12 20:53:57
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SI4880DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，具有较低的导通电阻和高开关速度，适合于高频、高效能的应用场合。其封装形式为 HotPlate 封装（TO-263-3），有助于提高散热性能。
这款 MOSFET 常用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电信和网络设备中的功率管理应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：52A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷：38nC
输入电容：2790pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
SI4880DY-T1-GE3 具有非常低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低功耗。此外，由于采用了先进的 TrenchFET 技术，该器件还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗。
此款 MOSFET 的高电流承载能力和宽泛的工作温度范围使其非常适合严苛环境下的应用。同时，HotPlate 封装通过优化热传导路径，提高了器件的散热效率，从而进一步增强了可靠性。
Vishay 在制造过程中注重产品的质量和一致性，因此 SI4880DY-T1-GE3 在批量生产中也能保持高性能表现。
该 MOSFET 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景，例如服务器和通信电源中的同步整流、负载点转换器（POL）、DC/DC 转换器等。此外，它也适用于消费电子领域，比如笔记本电脑适配器和 USB-PD 控制器。
在工业自动化领域，SI4880DY-T1-GE3 可用作电机驱动电路的核心元件，支持高速切换和精确控制。另外，汽车电子系统如电池管理系统和电动助力转向系统也可采用此型号以实现更高的能源利用率。
SI4870DY, IRF7778PbF
