时间：2025/7/8 23:08:25
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SI4860DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的电流处理能力，适用于多种高效能开关应用。其封装形式为 ThermPak? SO-8 封装，具备良好的散热性能和电气特性，适合高密度电路设计。
该 MOSFET 的设计目标是满足消费电子、通信设备以及工业控制等领域对高效、小型化和可靠性的要求。通过优化沟槽结构和工艺，SI4860DY-T1-E3 实现了更低的开关损耗和更高的系统效率。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：27A
导通电阻：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：69nC（典型值）
输入电容：2180pF（典型值）
总耗散功率：42W（θJA=45°C/W）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SI4860DY-T1-E3 提供了出色的电气特性和可靠性，具体特点如下：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提升系统效率。
2. 较高的连续漏极电流能力，能够支持大功率应用。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷和输入电容。
4. 工作温度范围宽广，适应各种环境条件下的使用需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 封装设计优化，提供更好的热管理和机械稳定性。
该功率 MOSFET 广泛应用于需要高性能开关和功率管理的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC/DC 转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护和管理系统中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率转换和控制模块。
6. 充电器和适配器等便携式电子设备的功率输出部分。
SI4862DY, IRF7846TRPBF, AO4860
