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ZVP2106GTA 发布时间 时间:2023/8/11 16:52:11 查看 阅读:235

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:DiodesInc.

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:是

配置:SingleDualDrain

晶体管极性:P-Channel

电阻汲极/源极RDS(导通):5Ohms

汲极/源极击穿电压:-60V

闸/源击穿电压:+/-20V

漏极连续电流:-450mA

功率耗散:2W

最大工作温度:+150℃

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-223

封装:Reel

最小工作温度:-55℃

StandardPackQty:1000

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ZVP2106GTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C450mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds100pF @ 18V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZVP2106GTR