ZVP2106GTA
时间:2023/8/11 16:52:11
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概述
制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:SingleDualDrain
晶体管极性:P-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):5Ohms
汲极/源极击穿电压:-60V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:-450mA
功率耗散:2W
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-223
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
StandardPackQty:1000
ZVP2106GTA参数
- 标准包装1,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C450mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds100pF @ 18V
- 功率 - 最大2W
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装SOT-223
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称ZVP2106GTR