时间：2025/6/22 14:51:15
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SI4858DY-T1-E3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司旗下品牌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TSSOP-8 封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种电源管理和电机驱动应用。
这款 MOSFET 主要用于需要高效能和高可靠性的电路中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器以及电池供电设备等。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：7.8A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗：2.9W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSSOP-8
SI4858DY-T1-E3 的主要特点是其具备非常低的导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，该器件还拥有快速的开关性能，从而减少了开关损耗，并支持高频操作。它采用了 Vishay 先进的制造工艺，确保了良好的热稳定性和可靠性。
同时，该 MOSFET 的小型化封装使其非常适合空间受限的应用场景，而其较高的雪崩击穿能力和鲁棒性则保证了在恶劣条件下的正常运行。
SI4858DY-T1-E3 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 同步整流电路
4. 电池管理系统
5. 电机驱动和控制
6. 负载开关和保护电路
由于其优异的性能，该器件在消费类电子产品、工业自动化以及通信设备领域都得到了广泛应用。
SI4858AL-T1-E3, SI4858BL-T1-E3
