时间：2025/4/28 13:00:26
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SI4850EY 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种需要高效开关的应用场景。
SI4850EY 的封装形式为 SO-8（表面贴装），这使其非常适合于空间受限的设计环境。
型号：SI4850EY
类型：N沟道功率 MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值，@ VGS=10V）：2.9mΩ
ID（连续漏极电流）：56A
Qg（栅极电荷）：37nC
EAS（雪崩能量）：3.3mJ
fT（特征频率）：3.2MHz
封装：SO-8
SI4850EY 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，适用于高频应用场合。
3. 高雪崩耐量能力，能够承受过载或短路情况下的能量冲击。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
5. 优化的热性能，适合长时间稳定运行。
6. 小型化的 SO-8 封装，便于表面贴装工艺。
7. 广泛的工作温度范围 -55°C 至 +175°C，适用于多种恶劣环境条件。
SI4850EY 常见的应用领域包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器，特别是降压拓扑结构。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 通信基础设施中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统中的电力转换部分。
SI4851DY, IRFZ44N, FDP5500
