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SI4850EY-T1-E3 发布时间 时间:2025/4/30 16:33:53 查看 阅读:33

SI4850EY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的高功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用了 Vishay 的最新一代 TrenchFET 技术,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的特点,能够在高频工作条件下提供出色的性能。
  此型号属于 Vishay Siliconix 系列,专门设计用于需要高电流处理能力和低功耗的应用场景。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-263-7
  最大漏源电压 (Vdss):60V
  最大连续漏极电流 (Id):50A
  导通电阻 (Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷 (Qg):45nC
  总功耗 (Ptot):165W
  工作温度范围 (Tj):-55°C 至 +175°C

特性

SI4850EY-T1-E3 使用了先进的 TrenchFET Gen IV 技术,从而实现了更低的导通电阻和更高的效率。
  其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(1.5mΩ),能够显著降低传导损耗。
  2. 高电流处理能力(最大 50A 持续电流),适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,得益于优化的栅极电荷设计,适合高频开关电路。
  4. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),使其在极端环境下也能可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  此外,该器件还具有优异的热性能和可靠性,非常适合工业级和汽车级应用。

应用

SI4850EY-T1-E3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和控制。
  由于其高电流能力和低导通电阻,该芯片特别适合需要高效能量转换和低发热的应用场合。

替代型号

SI4849DY, IRF7729TRPBF

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SI4850EY-T1-E3参数

  • 数据列表SI4850EY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4850EY-T1-E3TR