SI4850EY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的高功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用了 Vishay 的最新一代 TrenchFET 技术,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的特点,能够在高频工作条件下提供出色的性能。
此型号属于 Vishay Siliconix 系列,专门设计用于需要高电流处理能力和低功耗的应用场景。
类型:MOSFET
封装:TO-263-7
最大漏源电压 (Vdss):60V
最大连续漏极电流 (Id):50A
导通电阻 (Rds(on)):1.5mΩ
栅极电荷 (Qg):45nC
总功耗 (Ptot):165W
工作温度范围 (Tj):-55°C 至 +175°C
SI4850EY-T1-E3 使用了先进的 TrenchFET Gen IV 技术,从而实现了更低的导通电阻和更高的效率。
其主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(1.5mΩ),能够显著降低传导损耗。
2. 高电流处理能力(最大 50A 持续电流),适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度,得益于优化的栅极电荷设计,适合高频开关电路。
4. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),使其在极端环境下也能可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
此外,该器件还具有优异的热性能和可靠性,非常适合工业级和汽车级应用。
SI4850EY-T1-E3 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换和控制。
由于其高电流能力和低导通电阻,该芯片特别适合需要高效能量转换和低发热的应用场合。
SI4849DY, IRF7729TRPBF