SI4848DY-T1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen IV 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高效率的特性,适用于多种开关应用,包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。此型号的工作电压范围为 30V,并且具备优异的热性能和可靠性,使其非常适合在紧凑型设计中使用。
此外,SI4848DY-T1 的封装形式为超小型 PowerPAK? 1212-8 封装,有助于节省 PCB 空间并减少寄生电感的影响。其出色的动态性能和低栅极电荷使得开关损耗降低,从而提高了整体系统效率。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:7.6A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:19nC(典型值)
输入电容:800pF(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:PowerPAK? 1212-8
SI4848DY-T1 的主要特点包括:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低导通损耗,提升系统的能效。
2. 高效的开关性能,得益于较低的栅极电荷和快速的开关速度。
3. 支持高频开关操作,适合用于高效电源转换和负载切换。
4. 超小型封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
5. 广泛的工作温度范围,确保在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这些特性使 SI4848DY-T1 成为众多功率管理应用的理想选择,尤其在需要高效率、小尺寸解决方案的场合。
SI4848DY-T1 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器和充电器。
2. 便携式电子设备中的负载开关,如智能手机、平板电脑和其他电池供电产品。
3. DC-DC 转换器,用于工业控制和通信基础设施。
4. 电机驱动电路,支持各种消费类和工业用电机控制。
5. 保护电路,包括过流保护和短路保护功能。
6. 各种逆变器和 UPS 系统。
由于其卓越的性能和紧凑的封装,该器件能够在各类电力电子应用中发挥关键作用。
SI4854DY-T1, SI4860DY-T1