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F25L04PA-100 发布时间 时间:2025/5/26 11:37:47 查看 阅读:15

F25L04PA-100 是一款基于 FRAM(铁电随机存取存储器)技术的非易失性存储芯片。该器件提供了高可靠性和低功耗的特性,适用于需要频繁数据写入和长期数据保存的应用场景。FRAM 技术结合了 RAM 和 ROM 的优点,具备快速写入、无限次读写周期以及断电后数据保持能力。
  该型号具有 4Kbit 的存储容量,采用 SOIC-8 封装形式,工作电压范围为 2.0V 至 3.6V,非常适合电池供电设备和其他低功耗应用。

参数

存储容量:4Kbit
  封装形式:SOIC-8
  工作电压:2.0V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  接口类型:I2C
  数据保留时间:超过 10 年
  读写耐久性:超过 10^12 次

特性

F25L04PA-100 具备以下显著特性:
  1. 高速写入:由于 FRAM 技术无需等待擦除操作即可直接写入数据,因此写入速度比 EEPROM 和闪存快得多。
  2. 无限次读写周期:相比传统 EEPROM 的有限写入次数,FRAM 支持几乎无限次的读写操作,适合高频数据记录场景。
  3. 低功耗:在数据写入过程中消耗的电流极低,特别适合便携式和低功耗设备。
  4. 非易失性:即使在断电情况下,数据仍然可以长期保存。
  5. 简单的 I2C 接口:使得与微控制器或其他主设备的连接变得非常方便。

应用

F25L04PA-100 芯片广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化:用于实时数据记录和设备状态监控。
  2. 医疗设备:例如血糖仪、血压计等需要频繁存储测量数据的设备。
  3. 物联网 (IoT):在传感器节点中存储配置参数或环境数据。
  4. 计量仪表:如智能电表、水表等,用于存储使用数据和校准信息。
  5. 消费类电子:如数码相机、便携式音频播放器等,用作小型数据缓冲区。

替代型号

F25L08PA-100
  F25L16PA-100
  M24C04-RMN6TP

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