时间：2025/5/29 11:03:40
阅读：7
SI4848DY-T1-E3&-100 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。它适用于多种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。
该型号特别设计用于在高频条件下提供高效能表现，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：26nC
总电容：920pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263-3（D2PAK）
SI4848DY-T1-E3&-100 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，使其非常适合大功率应用。
3. 快速开关性能减少了开关损耗。
4. 采用坚固耐用的设计，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 支持宽广的工作温度范围，适应多种工业环境需求。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. 电信设备中的负载切换。
3. 工业电机控制与驱动。
4. 电动汽车及混合动力汽车的电源管理系统。
5. 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电池保护电路。
6. 高效 DC-DC 转换器设计。
SI4848DY, IRFB48N10SPBF, FDP060N10S
