IR3P54A 时间：2025/8/27 16:29:55 阅读：20

IR3P54A 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率、高频应用而设计。该器件属于 OptiMOS? 系列，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：54A
　　导通电阻(RDS(on))：最大值 4.5mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散(PD)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PG-HSOF-8-1（表面贴装，8引脚）

特性

IR3P54A 的核心特性在于其极低的 RDS(on)，这使得该器件在高电流应用中具有较低的功率损耗和更优的效率表现。其采用先进的沟槽技术，结合优化的硅结构，提供卓越的热管理和高频性能。
　　此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。封装设计采用了热增强技术，使得散热性能更佳，能够适应高温环境下的稳定运行。
　　IR3P54A 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，适合用于高频开关电源和同步整流器等场合。栅极设计具有良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中也能稳定工作。