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R1155H028B-T1-FE 发布时间 时间:2025/9/26 14:06:10 查看 阅读:12

R1155H028B-T1-FE是一款由Ricoh(理光)公司生产的高性能低压差线性稳压器(LDO),广泛应用于需要稳定电压输出和低功耗特性的便携式电子设备中。该器件属于R1155H系列,采用高精度、低静态电流设计,能够在输入电压较高的情况下为负载提供稳定的3.3V或可调输出电压(具体取决于型号后缀)。R11555H系列LDO以其出色的瞬态响应、高电源抑制比(PSRR)以及良好的温度稳定性著称,适用于对噪声敏感的模拟电路和射频系统。
  R1155H028B-T1-FE采用小型化封装(通常为DFN或SOT-23等薄型表面贴装封装),适合空间受限的应用场景。其内置过热保护和过流保护功能,增强了系统的可靠性与安全性。此外,该芯片支持陶瓷电容作为输出电容,有助于减小整体方案尺寸并提升频率响应性能。该器件常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端以及其他电池供电系统中,作为核心电源管理单元的一部分,确保关键模块获得干净、稳定的供电。

参数

工作电压范围:2.0V ~ 6.0V
  输出电压:2.8V(固定)
  最大输出电流:300mA
  静态电流:典型值4.0μA
  关断电流:≤0.1μA
  输出电压精度:±2%
  负载调整率:±50mV
  线性调整率:±30mV
  压差电压:典型值180mV@IOUT=100mA
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:DFN(PLP2220-6)
  引脚数:6
  保护功能:过流保护、过热保护
  调节类型:固定式
  输出电容类型:陶瓷电容兼容

特性

R1155H028B-T1-FE具备优异的动态响应能力和高电源抑制比(PSRR),在1kHz频率下PSRR可达70dB以上,能有效滤除来自输入端的噪声干扰,特别适用于为ADC、DAC、传感器、无线收发器等对电源噪声敏感的电路供电。其低静态电流特性使其在待机或睡眠模式下仍能保持极低的功耗,显著延长了电池寿命,非常适合于长期运行的低功耗应用。该LDO采用CMOS工艺制造,具有极高的集成度和稳定性,同时支持快速启动,在上电后可在短时间内进入稳压状态,避免因电压波动导致系统复位或异常。
  该器件内置精密反馈网络,确保输出电压在全温度范围和负载条件下保持高度稳定。其压差电压较低,在轻载至满载范围内均能维持高效能转换效率,减少热量产生。此外,R1155H系列采用了先进的热设计,在小型封装下仍具备良好的散热能力,即使在高温环境下也能安全运行。芯片还具备软启动功能,防止上电瞬间产生浪涌电流,从而保护后级电路不受冲击。所有这些特性共同构成了一个可靠、高效的电源解决方案,满足现代便携式电子产品对小型化、高效率和长续航的严苛要求。

应用

该器件广泛应用于便携式消费类电子产品中,如智能手环、TWS耳机、蓝牙模块、移动支付终端和健康监测设备等,用于为微控制器(MCU)、传感器、存储器及射频模块提供稳定电源。在工业自动化领域,它可用于低功耗数据采集系统、无线传感节点和远程监控装置中,保证信号链路的精准性和稳定性。此外,在通信设备中,R1155H028B-T1-FE可作为GPS接收器、Wi-Fi模组或NB-IoT模块的辅助电源,提供低噪声、低纹波的直流电压。由于其出色的温度适应性和长期可靠性,也可用于汽车电子中的非动力系统,例如车载信息娱乐系统的外围电路或车内环境监测单元。总之,凡是需要低功耗、小体积、高稳定性的电源管理场合,该LDO都是理想选择。

替代型号

R1155N281A-T1-FE
  XC6223B28MR-G
  RT9161-28GB
  ME6211C28M5G-N

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R1155H028B-T1-FE参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥4.17131卷带(TR)
  • 系列R1155x
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 输出配置
  • 输出类型固定
  • 稳压器数1
  • 电压 - 输入(最大值)24V
  • 电压 - 输出(最小值/固定)2.8V
  • 电压 - 输出(最大值)-
  • 电压降(最大值)2.6V @ 150mA
  • 电流 - 输出150mA
  • 电流 - 静态 (Iq)22 μA
  • 电流 - 供电(最大值)125 μA
  • PSRR-
  • 控制特性使能
  • 保护功能过流,超温,反向电流
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-89-5/6
  • 供应商器件封装SOT-89-5