时间：2025/5/7 10:05:11
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SI4840DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能转换应用。其封装形式为 Hot FET? 封装（TO-263-3），有助于提高散热性能并简化 PCB 设计。
这款 MOSFET 的额定电压为 40V，适合在低压系统中使用，例如电机驱动、负载切换、DC-DC 转换器和同步整流电路等。凭借其出色的电气特性和可靠性，SI4840DY-T1-E3 成为工业和消费电子领域中的热门选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：7.5nC
输入电容（典型值）：1220pF
总功耗：12W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高开关速度，减少开关损耗，提升动态性能。
3. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
4. 具备强大的雪崩能力，能够在异常条件下提供更高的耐用性。
5. 紧凑型表面贴装封装设计，节省空间。
6. 出色的热性能，确保长期稳定运行。
7. 低栅极电荷和输入电容，便于驱动并优化开关性能。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 同步整流电路
4. 电池管理系统 (BMS)
5. 工业电机控制
6. 负载切换和保护电路
7. 消费类电子产品中的功率管理模块
8. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统
SI4865DY, IRFZ44N, FDP5500NL
