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SI4840DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/7 10:05:11 查看 阅读:8

SI4840DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能转换应用。其封装形式为 Hot FET? 封装(TO-263-3),有助于提高散热性能并简化 PCB 设计。
  这款 MOSFET 的额定电压为 40V,适合在低压系统中使用,例如电机驱动、负载切换、DC-DC 转换器和同步整流电路等。凭借其出色的电气特性和可靠性,SI4840DY-T1-E3 成为工业和消费电子领域中的热门选择。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷(典型值):7.5nC
  输入电容(典型值):1220pF
  总功耗:12W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 高开关速度,减少开关损耗,提升动态性能。
  3. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  4. 具备强大的雪崩能力,能够在异常条件下提供更高的耐用性。
  5. 紧凑型表面贴装封装设计,节省空间。
  6. 出色的热性能,确保长期稳定运行。
  7. 低栅极电荷和输入电容,便于驱动并优化开关性能。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 同步整流电路
  4. 电池管理系统 (BMS)
  5. 工业电机控制
  6. 负载切换和保护电路
  7. 消费类电子产品中的功率管理模块
  8. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统

替代型号

SI4865DY, IRFZ44N, FDP5500NL

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SI4840DY-T1-E3参数

  • 数据列表SI4840DY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4840DY-T1-E3TR