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SI3454DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/22 14:48:54 查看 阅读:4

SI3454DV-T1-E3 是一款由 Silanna Semiconductor 推出的高效同步降压 DC-DC 转换器芯片。该芯片集成了高性能 PWM 控制器和功率 MOSFET,能够在宽输入电压范围内提供高效率的电源转换。
  它采用先进的 CMOS 工艺制造,支持高达 4A 的连续输出电流,并具有出色的负载和线路瞬态响应性能。此外,其内置的保护功能(如过流保护、短路保护和过温保护)确保了在各种应用环境中的稳定性和可靠性。

参数

输入电压范围:2.7V - 6V
  输出电压范围:0.8V - 5.5V
  开关频率:2.1MHz
  最大输出电流:4A
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装形式:WLCSP-16

特性

SI3454DV-T1-E3 具备以下关键特性:
  1. 高效同步整流设计,典型效率可达 95% 以上。
  2. 内置上下桥 MOSFET,减少外部元件数量,简化电路设计。
  3. 支持可编程软启动功能,避免启动时产生浪涌电流。
  4. 提供精准的使能引脚控制,便于实现系统级电源管理。
  5. 紧凑型封装尺寸,适合空间受限的应用场景。
  6. 支持脉冲跳跃模式(PSM),在轻载条件下保持高效率。
  7. 兼容陶瓷电容,降低输出纹波并提高稳定性。

应用

SI3454DV-T1-E3 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子设备,如智能手机、平板电脑及可穿戴设备。
  2. 便携式医疗设备,例如血糖仪、血压计等。
  3. 工业物联网 (IIoT) 设备,如传感器节点和无线通信模块。
  4. 网络通信产品,包括路由器、交换机以及基站子系统。
  5. 电池供电系统,用于延长续航时间并优化能量使用。

替代型号

SI3453DV, SI3455DV

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SI3454DV-T1-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流4.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.065 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-6
  • 封装Reel
  • 下降时间10 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2 W
  • 上升时间15 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间20 ns
  • 零件号别名SI3454DV-E3