时间：2025/5/20 15:27:05
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SI4829DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，非常适合用于需要高效率和低损耗的应用场景。
该 MOSFET 的封装形式为 DSOP-8，支持表面贴装工艺，便于自动化生产和焊接。其工作电压范围宽，能够承受高达 60V 的漏源电压，同时提供高达 40A 的连续漏极电流（在适当的散热条件下）。
最大漏源电压 Vds：60V
栅极阈值电压 Vgs(th)：2.5V 至 4.5V
最大漏极电流 Id：40A
导通电阻 Rds(on)（在 Vgs=10V 时）：2.5mΩ
导通电阻 Rds(on)（在 Vgs=4.5V 时）：3.7mΩ
总功耗 Ptot：252W
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：DSOP-8
SI4829DY-T1-GE3 基于先进的 TrenchFET 工艺制造，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流电路等。
3. 高雪崩击穿能量 (EAS)，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 支持高密度封装，节省 PCB 空间，同时保持良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这款 MOSFET 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统的负载切换和保护。
4. 大功率 LED 照明驱动电路。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制和保护电路。
SI4836DY, SI4842DY
