时间：2025/5/22 19:14:42
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SI4816BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于高效能开关应用。
其封装形式为 PowerPAK SO-8（8 引脚），具有出色的散热性能和紧凑的设计，适合用于空间受限的应用场景。该 MOSFET 广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备中的电源管理领域。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：47nC
输入电容：1980pF
总功耗：15W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI4816BDY-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 紧凑型 PowerPAK SO-8 封装，节省 PCB 空间。
5. 增强的热性能，确保在高负载下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
7. 提供稳健的短路保护能力。
该芯片适用于多种电源管理应用，包括但不限于：
1. DC/DC 转换器中的同步整流。
2. 开关模式电源（SMPS）的主开关或次级侧整流。
3. 电机驱动中的功率级控制。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. 通信设备中的负载切换。
6. 工业自动化中的电磁阀和继电器驱动。
SI4825DY, IRF7843, FDP14N05L
