时间：2025/5/29 17:27:39
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SI4804DY-T1-GE3 是一款来自 Vishay Siliconix 的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关效率的特点，适用于需要高效能功率转换的应用场景。其封装形式为小外形晶体管 SOT-23 封装，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.2A
导通电阻(Rds(on))：75mΩ
栅极电荷(Qg)：5nC
总电容(Ciss)：490pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SI4804DY-T1-GE3 使用了 Vishay 的先进 TrenchFET 技术，确保其具备以下优势：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 4.5V 栅极驱动下仅为 75mΩ，从而减少导通损耗。
2. 小巧的 SOT-23 封装使其成为紧凑型设计的理想选择。
3. 高效的开关性能，适合高频应用。
4. 具有出色的热稳定性和耐用性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域，具体包括：
1. DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 开关电源（SMPS）的初级或次级侧开关。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率开关。
5. 保护电路中的过流保护元件。
6. 各种便携式设备中的电源管理单元。
SI4804DY, BSS138, FDN340P
