时间：2025/8/6 12:56:57
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IXFN280N085是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高功率和高频应用。该器件采用N沟道设计，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。IXFN280N085广泛应用于电源转换器、电机驱动器、UPS系统、焊接设备和工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：85V
漏极电流（Id）：280A
导通电阻（Rds(on)）：最大3.8mΩ
栅极电荷（Qg）：约150nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-264
IXFN280N085的主要特性包括极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。其高电流容量和耐压能力使其适用于高功率密度设计。该MOSFET具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该器件的封装设计支持良好的散热性能，确保在高功率应用中的可靠运行。
其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器系统。该MOSFET的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路设计，并提高了系统的整体稳定性。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在突发负载条件下的可靠性。
IXFN280N085常用于各种高功率电子系统中，如DC-DC转换器、电动车辆充电系统、太阳能逆变器、工业电机控制、电源模块和高频电源供应器。此外，该器件也适用于需要高效能功率开关的自动化设备和焊接设备中。
IXFN280N085T, IXFN260N085, IXFN300N085
