时间：2025/7/1 19:53:37
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SI4804BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装 (TSOT23-6)，适用于需要高效能开关的应用场景。它具有低导通电阻和快速开关速度，能够满足消费电子、通信设备以及工业应用中的需求。
这款 MOSFET 的工作电压范围较宽，最高可承受 40V 的漏源极电压，并且具备良好的热性能，有助于提高系统效率并减少功耗。
最大漏源极电压(Vds)：40V
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.5V 至 3.5V
连续漏极电流(Id)：4.2A
导通电阻(Rds(on))：70mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
总功耗(Ptot)：0.65W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSOT23-6
SI4804BDY-T1-E3 提供了多种关键优势，包括出色的 Rds(on) 特性以减少传导损耗，同时具备较低的栅极电荷(Qg)，从而支持更高的开关频率和更少的动态损耗。
此外，其紧凑的 TSOT23-6 封装设计非常适合空间受限的应用场合，而高雪崩能量能力则增强了可靠性。
由于采用了 Vishay 先进的半导体制造工艺，该元件能够在高温环境下长期稳定运行，确保系统的持续高效运作。
该功率 MOSFET 广泛应用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理等电路中。例如，在便携式电子设备如智能手机和平板电脑内的电源管理系统中发挥重要作用。
另外，它还适合用于笔记本电脑适配器、USB-PD 控制器以及其他需要高频开关操作的领域。同时，在工业自动化控制和汽车电子辅助系统中也有潜在用途。
SI4805DN, BSS138, FDS6670A
