时间：2025/7/1 19:52:37
阅读：8
SI4569DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，适用于高频开关和功率管理应用。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高能效的特点。其出色的性能使其非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备中的功率转换场景。
该芯片采用超小型的 TSOP233 封装形式，能够有效节省电路板空间，同时提供卓越的电气性能和散热能力。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：11A
导通电阻：2.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TSOP233
SI4569DY-T1-E3 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在高电流应用中降低传导损耗。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适合现代电源转换设计。
3. 高度优化的 Qg（栅极电荷），可以显著减少驱动功耗。
4. 强大的热性能表现，确保在高温环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，采用无铅封装工艺，满足环保要求。
6. 可靠性高，具备抗 ESD 能力，能承受高达 ±2kV 的 HBM 静电放电测试。
7. 小型化封装设计，非常适合便携式电子设备及空间受限的应用场景。
SI4569DY-T1-E3 广泛应用于各种需要高效功率转换的场合，典型应用领域如下：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 降压和升压 DC-DC 转换器，特别是笔记本电脑适配器和移动电源等便携式设备。
3. 电动工具、无人机和其他电池供电设备中的功率管理模块。
4. 电机驱动和负载切换电路中的关键组件。
5. LED 照明系统的恒流控制电路。
6. 工业自动化和通信设备中的高性能电源解决方案。
这款 MOSFET 凭借其优秀的电气特性和紧凑的封装尺寸，成为众多功率敏感型应用的理想选择。
SI4566DY, SI4425DY, IRF7843
