时间：2025/4/30 11:33:32
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IRLMS1902TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用SO-8封装，广泛应用于各种功率转换和电机驱动场景。其设计旨在提供低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
IRLMS1902TRPBF 的主要特点是能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的开关操作，适合用于消费电子、工业设备以及其他需要高效能功率管理的应用领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：57A
导通电阻：4.4mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：67nC
总电容：1030pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
IRLMS1902TRPBF 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用。
3. 小巧的SO-8封装，节省PCB空间。
4. 耐雪崩能力和抗静电放电保护，增强了器件的可靠性。
5. 支持快速开关，适用于高频功率转换场景。
6. 宽工作温度范围，确保在极端环境下仍能正常运行。
这款MOSFET 器件通常被应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的电池管理和配电。
5. LED照明驱动电路中的功率控制元件。
由于其优异的性能和可靠性，IRLMS1902TRPBF 成为许多工程师在设计高性能功率系统时的理想选择。
IRLB8749PBF, IRLB8727PBF
