时间：2025/6/29 15:15:25
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SI4565DY-T1-E3 是一款基于硅技术的高性能、高效率 N 沃特定向功率 MOSFET。它广泛应用于需要高效能和低功耗的电路设计中，例如 DC-DC 转换器、开关电源、负载开关以及电机驱动等应用领域。
该器件采用先进的制程工艺，在保证高击穿电压的同时实现了较低的导通电阻 (Rds(on))，从而有效减少了导通损耗并提升了整体系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：79nC
反向恢复时间：36ns
工作温度范围：-55℃ to 175℃
SI4565DY-T1-E3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高转换效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
3. 快速开关性能，能够降低开关损耗并在高频应用中表现出色。
4. 紧凑型封装设计 (TO-Leadless)，支持更小的 PCB 占位面积并简化热管理。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。
6. 支持宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适用于严苛环境下的应用需求。
该 MOSFET 器件适用于多种电子系统中的功率管理与控制功能：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的核心功率开关元件。
2. 电池供电设备中的负载开关及保护电路。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和逆变器模块。
4. 汽车电子系统的各种功率调节和驱动任务。
5. 高效 DC-DC 转换器设计中的同步整流或主开关角色。
6. 可再生能源领域如太阳能微逆变器内的功率处理组件。
SI4484DY, SI4582DY, FDS6672A
