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MJD45H11G 发布时间 时间:2025/5/10 13:11:39 查看 阅读:11

MJD45H11G是一种双极性晶体管(BJT),主要用作开关或放大器件。它属于NPN型晶体管,适用于中低功率应用场合。该晶体管具有较高的增益和快速的开关特性,广泛应用于各种电子电路中。
  这种晶体管通常用于电源管理、信号放大、驱动小型负载等场景。其封装形式一般为TO-220,具备良好的散热性能,便于在较高功率条件下使用。

参数

集电极-发射极电压(Vce):80V
  集电极电流(Ic):15A
  直流电流增益(hFE):30~300
  功耗(Ptot):150W
  过渡频率(ft):7MHz
  存储温度范围:-55℃至150℃

特性

MJD45H11G晶体管以其高可靠性和稳定性著称,能够在较宽的工作电压和电流范围内正常运行。
  1. 高耐压能力:其80V的集电极-发射极击穿电压使其适合多种高压应用场景。
  2. 大电流承载能力:15A的集电极电流允许驱动较大负载。
  3. 快速响应时间:7MHz的过渡频率确保了其在高频电路中的适用性。
  4. 宽工作温度范围:无论是低温还是高温环境,该晶体管都能保持稳定性能。
  5. TO-220封装:提供优秀的散热性能,适合功率稍高的应用。

应用

MJD45H11G常见于以下应用领域:
  1. 开关电源中的开关元件。
  2. 电机驱动电路中的驱动晶体管。
  3. 音频放大器中的输出级晶体管。
  4. 各类负载驱动应用,如继电器、LED等。
  5. 工业控制设备中的信号调节与传输电路。
  6. 汽车电子系统中的大电流开关组件。

替代型号

MJE45H11G, MJ15004, TIP30C

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MJD45H11G参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 400mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 4A,1V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 频率 - 转换90MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装管件
  • 其它名称MJD45H11G-NDMJD45H11GOS