时间：2025/4/29 19:05:57
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SI4564DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特性，非常适合于高频开关应用和负载切换场景。
其封装形式为 PowerPAK? SO-8 封装，能够提供出色的散热性能和电气性能。该芯片广泛应用于 DC/DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的电子设备中。
型号：SI4564DY-T1-GE3
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源极耐压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
Id（连续漏极电流）：29A
Qg（总栅极电荷）：37nC
EAS（雪崩能量）：3.2mJ
封装：PowerPAK? SO-8
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI4564DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 总栅极电荷 Qg 较小，降低了驱动功耗。
4. 强大的雪崩能力和稳健的短路耐受能力，提升了器件的可靠性。
5. 采用 PowerPAK? SO-8 封装，具备良好的散热特性和紧凑尺寸。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
该芯片适用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 便携式电子设备中的负载开关。
4. 计算机及外设中的高效功率管理模块。
5. 工业自动化和汽车电子领域的功率转换与控制。
6. 各种需要高频开关和低功耗的应用场合。
SI4563DY, SI4565DY, IRF7833PbF
