时间：2025/5/26 18:29:32
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SI4559ADY 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的硅工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度，广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。SI4559ADY 的封装形式为 SO-8，使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：31A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：75nC
输入电容：1040pF
总功耗：31W
工作温度范围：-55℃至+175℃
SI4559ADY 提供了非常低的导通电阻，从而能够减少功率损耗并提高效率。
其高电流处理能力使得该器件非常适合大功率应用。
此外，该 MOSFET 具有快速开关速度，可以降低开关损耗，并且支持高频操作。
SO-8 封装提供良好的散热性能和电气连接，同时占用较少的 PCB 空间。
该器件还具备出色的雪崩能力和 ESD 保护功能，提高了系统可靠性。
SI4559ADY 常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换、电池管理系统（BMS）、通信电源以及工业自动化设备中的功率控制和管理。
由于其高电流承载能力和低导通电阻，它也适用于服务器、PC 和笔记本电脑等需要高效能电源解决方案的应用。
在汽车电子领域，该器件可用于启动电机控制和电动助力转向系统等。
IRL3803, FDP5570N
