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SI4559ADY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/12 18:47:42 查看 阅读:8

SI4559ADY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs(硅实验室)推出的高效率、低功耗的同步降压转换器芯片。该芯片集成了 MOSFET,支持高达 2A 的连续输出电流,并且能够在宽输入电压范围内高效工作。其设计旨在为便携式设备和其他对空间和功耗敏感的应用提供小尺寸和高性能的电源解决方案。
  SI4559ADY-T1-GE3 支持固定频率 PWM 模式,在轻载条件下自动进入节能模式以提高效率。同时,它具有短路保护、过温保护和欠压锁定等功能,确保了系统的安全性和可靠性。

参数

输入电压范围:2.7V 至 5.5V
  输出电压范围:0.8V 至 VIN
  输出电流:高达 2A
  开关频率:2.2MHz
  待机电流:小于 1μA
  效率:高达 95%
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:MSOP-10

特性

SI4559ADY-T1-GE3 具有以下显著特性:
  1. 高达 2A 的负载能力,适用于需要大电流的系统。
  2. 固定 2.2MHz 开关频率,允许使用小型外部电感和电容组件,从而减少 PCB 占用面积。
  3. 内置补偿电路,简化设计流程并降低 BOM 成本。
  4. 轻载时自动切换至 PFM 模式,进一步提升整体效率。
  5. 提供全面的保护功能,包括短路保护、热关断以及输入欠压锁定机制。
  6. 简单易用,仅需少量外围元件即可实现完整电源管理方案。
  这些特点使得 SI4559ADY-T1-GE3 成为消费类电子、工业控制以及通信设备的理想选择。

应用

SI4559ADY-T1-GE3 广泛应用于各种领域,主要包括:
  1. 便携式电子产品,例如智能手机、平板电脑及可穿戴设备。
  2. 工业自动化设备中的嵌入式电源模块。
  3. 网络通信设施中的辅助供电单元。
  4. 数字音频播放器以及其他电池供电装置。
  由于其高效的能量转换能力和紧凑的设计结构,这款芯片特别适合那些需要在有限空间内实现高性能电源供应的应用场景。

替代型号

SI4559ABY-T1-GM3
  SI4559ACY-T1-GM3
  SI4559ADY-T1-GM3

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SI4559ADY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A,3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C58 毫欧 @ 4.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds665pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4559ADY-T1-GE3TR