时间：2025/9/22 19:28:13
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2SK1961-01是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计，广泛应用于电视、显示器等设备的电源系统中。该器件采用先进的平面栅极硅门极工艺技术制造，具备优良的开关特性和导通电阻表现，适合在高频率下工作的开关电源（SMPS）中使用。其封装形式为SIP-7（单列直插式7引脚），便于安装在印刷电路板上，并具有良好的散热性能。2SK1961-01特别适用于反激式转换器拓扑结构，在待机电源、主电源以及DC-DC转换器中表现出色。该MOSFET的设计注重效率与可靠性，能够在高温环境下稳定运行，同时提供出色的抗雪崩能力和耐用性，确保长期使用的稳定性。
由于其优化的寄生参数控制，2SK1961-01在高速开关过程中能够有效减少开关损耗，提高整体电源转换效率。此外，该器件还具备较低的输入和输出电容，有助于降低驱动损耗并提升系统响应速度。作为一款面向消费类电子产品的功率MOSFET，2SK1961-01符合RoHS环保要求，不含铅等有害物质，适应现代绿色电子产品的发展趋势。
型号：2SK1961-01
极性：N沟道
漏源电压（Vds）：650 V
连续漏极电流（Id）：4.5 A @ 25°C
脉冲漏极电流（Idm）：18 A
栅源电压（Vgs）：±30 V
功耗（Pd）：50 W
导通电阻（Rds(on)）：典型值 1.2 Ω @ Vgs = 10 V
阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
输入电容（Ciss）：典型值 1050 pF @ Vds = 25 V, f = 1 MHz
输出电容（Coss）：典型值 180 pF @ Vds = 25 V, f = 1 MHz
反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管
工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
封装类型：SIP-7
2SK1961-01具备优异的高频开关性能，这得益于其低栅极电荷（Qg）和低米勒电荷（Qsw）的设计，使其在高频开关电源中能够显著降低驱动损耗和开关损耗。该器件的栅极结构经过优化，有效减少了开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI），从而提升了系统的电磁兼容性。其较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）不仅降低了高频下的容性损耗，也加快了开关速度，使电源系统能够以更高的频率运行，从而减小变压器和滤波元件的体积，实现电源的小型化和轻量化设计。
该MOSFET的Rds(on)在同类产品中处于较低水平，典型值仅为1.2Ω，在保证高耐压（650V）的同时实现了良好的导通性能，有助于降低导通损耗，提升能效。此外，其阈值电压范围适中（2.0~4.0V），可兼容多种驱动电路设计，包括PWM控制器直接驱动或通过驱动IC间接驱动。器件的雪崩能量承受能力较强，能够在异常工作条件下（如过压或短路）提供一定的自我保护能力，增强系统鲁棒性。
封装方面，SIP-7结构提供了良好的热传导路径，结合适当的PCB布局和散热设计，可以有效将芯片产生的热量传导至外部环境，防止因温升过高导致性能下降或损坏。该封装还支持自动插件工艺，有利于大规模生产中的装配效率。另外，2SK1961-01的引脚配置经过优化，减少了内部寄生电感，进一步改善了高频开关时的动态性能。综合来看，这款MOSFET在效率、可靠性、热性能和制造适应性之间实现了良好平衡，是中等功率开关电源中的理想选择。
2SK1961-01主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其适合用于彩色电视机、液晶显示器、办公自动化设备以及小型家电中的主电源或待机电源模块。在反激式（Flyback）拓扑结构中，它常被用作主开关器件，负责将直流高压转换为高频交流信号，再经变压器降压整流后输出所需低压直流电。由于其高耐压（650V）特性，可以直接连接整流后的市电母线电压，适用于全球通用电压输入范围（AC 85V ~ 265V）。
在节能灯电源、LED驱动电源以及适配器（如笔记本电脑充电器）中，2SK1961-01也能发挥其高效开关的优势，帮助实现高能效等级（如Energy Star或DoE VI标准）。此外，该器件还可用于DC-DC变换器、逆变器前端开关以及工业控制电源模块中，特别是在需要高可靠性和长寿命的应用场合表现出色。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，2SK1961-01也被广泛用于环境较为恶劣的工业或户外设备供电系统中。随着对电源效率和体积要求的不断提高，该MOSFET在新兴的小型化智能设备电源管理单元中也展现出良好的应用前景。
2SK2031-01
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