SI4511DY-T1 时间：2025/7/16 15:46:56 阅读：7

SI4511DY-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，同时具备快速开关特性，适合用于各种高频开关应用。其出色的电气性能和高可靠性使其成为电源管理、电机驱动、负载开关等场景的理想选择。
　　这款 MOSFET 在设计上注重高效能表现，适用于工业、消费类电子以及汽车等领域。它支持高电流处理能力，并且具有良好的热稳定性，有助于提高系统整体效率。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：39A
　　导通电阻：2.8mΩ
　　栅极电荷：77nC
　　总功耗：235W
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：TO-263

特性

SI4511DY-T1 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)）为 2.8mΩ，确保了在大电流条件下也能维持较高的转换效率。
　　2. 支持高达 39A 的连续漏极电流，满足高功率应用需求。
　　3. 快速开关能力，得益于其较低的栅极电荷值（77nC），可有效降低开关损耗。
　　4. 工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 175℃，适应多种极端环境下的使用条件。
　　5. TO-263 封装提供了优异的散热性能和机械强度，简化 PCB 设计与布局。
　　6. 高耐压能力（60V），保证在瞬态电压波动时的稳定运行。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。

应用

SI4511DY-T1 可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
　　2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型电机的工作状态。
　　3. 负载开关，用以实现不同负载间的快速切换。
　　4. 汽车电子系统中需要高电流承载能力的场合，例如电动助力转向系统（EPS）、刹车辅助系统等。
　　5. 工业设备内的逆变器模块，提供高效的能量转换功能。
　　6. 电池管理系统（BMS）中的保护及充放电控制电路。
　　7. 各种适配器和充电器设计中的功率开关元件。