时间：2025/6/29 11:32:14
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GA1206A121JXLBT31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，适用于高频和高功率密度的应用场景。该器件采用增强型设计，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高电源转换效率并减小系统尺寸。
该型号属于 GaN Systems 的功率晶体管产品系列，广泛应用于数据中心电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器以及消费类快充适配器等领域。
额定电压：650V
额定电流：120A
导通电阻：12mΩ
栅极电荷：9nC
反向恢复时间：无反向恢复
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 采用增强型 GaN 技术，确保安全可靠的运行。
2. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，减少开关损耗。
4. 无反向恢复电荷，进一步提升效率。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 提供优异的热性能，支持高功率密度设计。
1. 数据中心高效电源模块
2. 消费类 USB-C 快速充电器
3. 电动汽车车载充电器（OBC）
4. 太阳能微型逆变器
5. 工业用 DC-DC 转换器
6. 高频软开关拓扑（如 LLC 和 PFC）
GS66508T
PSMN0R9-65YL
TPH1700WS65
