时间：2025/6/17 0:12:40
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SI4500BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和出色的开关性能，适用于高频和高效率的应用场景。其封装形式为 ThermOTRIC? TSOP672-3, 该封装设计优化了散热性能，适合紧凑型设计。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：34A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ
栅极电荷(Qg)：48nC
输入电容(Ciss)：3140pF
输出电容(Coss)：93pF
反向传输电容(Crss)：37pF
结温范围(Tj)：-55°C to +175°C
封装类型：ThermOTRIC? TSOP672-3
SI4500BDY-T1-E3 的主要特点是其极低的导通电阻 (2.2mΩ)，这使其在高电流应用中能够显著降低功耗。
此外，该器件的快速开关特性和较低的栅极电荷使其非常适合高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器和电机驱动器等。
采用 ThermOTRIC? 封装技术，提升了热性能和电气性能，从而支持更高的功率密度。
其耐热能力高达 175°C 的结温范围进一步增强了器件在恶劣环境中的可靠性。
SI4500BDY-T1-E3 广泛应用于需要高效能和高频工作的领域。
典型应用场景包括：
- 开关电源(SMPS) 中的功率 MOSFET。
- 同步整流电路中的主开关元件。
- 工业及汽车级 DC-DC 转换器。
- 多相 VRM（电压调节模块）中的上下桥开关。
- 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
- 各种负载开关和保护电路。
SI4402DY, SI4502DY
