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SI4466DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/8 15:06:22 查看 阅读:2

SI4466DY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 推出的高性能、低功耗 Sub-GHz 射频收发器芯片。该芯片支持多种调制方式,具有出色的灵敏度和抗干扰能力,适合用于无线传感器网络、家庭自动化、楼宇控制以及工业物联网等应用领域。
  SI4466 提供了灵活的配置选项和强大的射频性能,能够满足各种复杂环境下的通信需求。它集成了许多功能模块,包括频率合成器、功率放大器、低噪声放大器和数字基带,从而简化了系统设计并降低了整体功耗。

参数

工作频率范围:119 MHz 至 1050 MHz
  输出功率:+20 dBm(最大)
  接收灵敏度:-121 dBm(典型值,FSK 调制)
  供电电压:1.8 V 至 3.6 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN-40 (6x6 mm)
  调制方式:2-FSK、GFSK、MSK、O-QPSK

特性

高集成度设计减少了外围元件数量,从而降低了 BOM 成本和 PCB 面积需求。
  支持多协议操作,允许用户自定义数据包格式和通信协议。
  内置 CRC 校验、前向纠错(FEC)等功能,提高了数据传输的可靠性。
  超低功耗模式下待机电流仅为 300 nA,延长了电池供电设备的工作时间。
  通过简单的 SPI 或 I2C 接口即可实现与主控 MCU 的高效通信。
  具备自动频率校正(AFC)功能,可适应晶振误差较大的低成本应用场景。

应用

无线传感器网络
  智能家居设备
  楼宇自动化控制系统
  工业物联网节点
  远程抄表系统
  安防报警装置
  农业环境监测终端

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SI4466DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 13.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)