时间：2025/6/29 12:43:32
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IRLML2803GTR 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于低电压、高效率的开关电路中。该器件采用小型化的SOT-23封装，具有极低的导通电阻和快速开关能力，适合便携式设备、电源管理模块以及信号切换等应用场景。
这款MOSFET的主要特点是其优化的电气性能和紧凑的物理尺寸，能够在高频条件下提供高效的功率转换，同时保持较低的功耗。此外，IRLML2803GTR 的栅极驱动电压范围宽泛，非常适合电池供电系统和其他低电压环境下的应用。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±10V
持续漏极电流：2.5A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：1.9nC
总电容：160pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
IRLML2803GTR 提供了以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在大电流下有较高的效率和较低的功耗。
2. 小巧的 SOT-23 封装节省了 PCB 布局空间，非常适合对体积敏感的设计。
3. 宽范围的栅极驱动电压（支持低至 1.8V 的逻辑电平驱动），简化了与微控制器或其他数字 IC 的接口设计。
4. 快速的开关速度降低了开关损耗，从而提升了整体系统的能效。
5. 高度可靠的电气性能和耐热性使其能够适应严苛的工作环境。
IRLML2803GTR 主要用于以下领域：
1. 便携式电子设备中的负载开关和电源管理。
2. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 电池保护和充电管理系统。
5. 各类信号切换和隔离电路。
由于其低导通电阻和小封装的特点，该器件特别适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。
IRLML2802TR, IRLML6402TR
