您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/30 18:12:05 查看 阅读:5

SI4463CDY-T1-GE3 是 Silicon Labs 公司推出的一款高性能、低功耗的 Sub-GHz RF 收发器芯片。该芯片工作在 119 MHz 至 1050 MHz 频率范围内,适用于各种无线通信应用,包括工业、科学和医疗(ISM)频段以及专有协议应用。它具有高度集成的设计,支持多种调制模式,并提供灵活的配置选项,使其非常适合需要长距离、低功耗传输的应用场景。
  SI4463 提供了卓越的接收灵敏度和发射功率效率,能够在嘈杂的射频环境中实现可靠的通信。其片上 DC-DC 转换器进一步优化了功耗表现,非常适合电池供电设备。

参数

频率范围:119 MHz 至 1050 MHz
  输出功率:+20 dBm(最大)
  接收灵敏度:-121 dBm(典型值,以 1.2 kbps GFSK为例)
  调制方式:FSK、GFSK、MSK、OOK、ASK
  数据速率:0.15 kbps 至 768 kbps
  电源电压:1.8 V 至 3.6 V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN32 (5x5 mm)
  电流消耗:接收模式 - 11.6 mA;发射模式(0 dBm)- 24.5 mA

特性

SI4463CDY-T1-GE3 拥有出色的性能和灵活性,以下是其主要特性:
  1. 宽广的工作频率范围,覆盖从 119 MHz 到 1050 MHz 的所有 ISM 频段。
  2. 支持多种调制类型,包括 FSK、GFSK、MSK 和 OOK/ASK,能够满足不同的通信需求。
  3. 内置 DC-DC 转换器,有效降低整体功耗,延长电池寿命。
  4. 高度集成设计,减少了外围元件数量,从而降低了系统成本和复杂性。
  5. 提供灵活的数据速率选择,适应从低速传感器网络到较高速率的无线数据传输。
  6. 强大的抗干扰能力,即使在恶劣的射频环境下也能保持稳定的通信。
  7. 简单易用的 SPI 接口,方便与微控制器进行通信和配置。
  8. 内置 CRC 和前向纠错功能,确保数据传输的可靠性。
  9. 提供多通道配置,便于构建复杂的无线网络结构。

应用

SI4463CDY-T1-GE3 广泛应用于各类无线通信领域,主要包括以下方面:
  1. 家庭自动化和楼宇控制,如灯光控制、温控系统等。
  2. 工业无线传感网络,用于监控和数据采集。
  3. 抄表应用,例如智能电表、水表和气表的远程数据传输。
  4. 医疗健康设备,如可穿戴健康监测装置。
  5. 安防系统,包括门禁控制、报警系统等。
  6. 物联网(IoT)设备,为各种互联设备提供无线通信功能。
  7. 农业监测,如土壤湿度、气象条件等数据的无线传输。

替代型号

SI4462CDY-T1-GE3
  SI4461CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI4463CDY-T1-GE3参数

  • 现有数量2,788现货
  • 价格1 : ¥7.47000剪切带(CT)2,500 : ¥3.15532卷带(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13.6A(Ta),49A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)162 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4250 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.7W(Ta),5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)