容量：48K位
　　组织方式：6K x 8位
　　电源电压：2.3V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：28引脚SSOP、28引脚SOIC、28引脚PDIP
　　访问时间：10ns、12ns、15ns等多种速度等级可选
　　输入/输出电平：兼容TTL和CMOS电平
　　最大工作频率：100MHz
　　待机电流：10mA（典型值）
　　主动读取电流：120mA（典型值）

40048GB 是一款高性能异步SRAM芯片，具备低功耗、高速读写和宽电压工作范围等优点。其CMOS工艺结构使其在保持低功耗的同时实现高速访问时间，适用于各种嵌入式和工业控制系统。
　　该芯片的异步设计使其无需时钟信号即可进行数据读写，提高了系统的灵活性和响应速度。此外，其独立的地址和数据总线支持多种操作模式，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）控制，允许用户进行精确的内存管理。
　　40048GB 的宽电压范围（2.3V至5.5V）使其适用于多种电源环境，增强了设计的兼容性。同时，其低待机电流特性（典型值10mA）和可选的自动低功耗模式，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　在可靠性和抗干扰方面，40048GB 采用抗静电和抗闩锁设计，适合在复杂电磁环境中稳定运行。其封装形式多样，包括SSOP、SOIC和PDIP，便于在不同电路板设计中灵活使用。
　　综上所述，40048GB 是一款性能稳定、功耗低、适用性广的SRAM芯片，适用于多种需要高速数据存取的嵌入式系统和工业控制应用。

40048GB SRAM芯片广泛应用于各种需要高速缓存和临时数据存储的电子系统中，如工业控制器、通信设备、网络路由器、测试仪器、嵌入式处理器系统、数据采集设备以及便携式电子设备等。由于其异步操作特性和宽电压工作范围，它也非常适合用于需要高稳定性和低功耗设计的电池供电设备。

IS61WV40048GBLL-10B、IS62WV40048GBLL-10B、CY62148E、CY62148GE、IDT71V4048SA、IDT71V4048SAG