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SI4401DDY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/11 15:07:47 查看 阅读:7

SI4401DDY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 提供的高性能 Sub-GHz 无线收发器芯片,专为低功耗、高可靠性无线应用设计。该芯片支持 240 MHz 至 960 MHz 的频率范围,适用于多种短距离无线通信场景。它具有灵活的调制方式和高度可配置的射频参数,能够满足不同应用场景的需求。
  SI4401 集成了一个高效的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA),能够在较低功耗下实现远距离传输。同时,该芯片内置了自动增益控制(AGC)、RSSI 检测以及数据包处理功能,简化了系统设计复杂度。

参数

工作频率范围:240 MHz 至 960 MHz
  输出功率:+20 dBm(最大)
  接收灵敏度:-121 dBm(典型值,@ 1.2 kbps FSK)
  供电电压:1.8 V 至 3.6 V
  待机电流:小于 10 nA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN32 (5mm x 5mm)
  数据速率:0.15 kbps 至 384 kbps
  调制方式:(G)FSK、(G)MSK

特性

1. 支持宽频率范围(240 MHz 至 960 MHz),适合全球不同地区的 ISM 频段应用。
  2. 内置高效的功率放大器和低噪声放大器,确保在低功耗条件下实现远距离传输。
  3. 高度集成的功能模块,包括 AGC、RSSI 检测、前向纠错(FEC)等,显著降低了外部元件需求。
  4. 灵活的调制方式选择,支持 (G)FSK 和 (G)MSK 调制,满足多种通信协议需求。
  5. 极低的功耗特性,特别适合电池供电的无线设备。
  6. 提供全面的硬件和软件开发支持,便于快速原型设计和产品化。

应用

SI4401DDY-T1-GE3 广泛应用于各种低功耗无线通信领域,包括家庭自动化、楼宇自动化、工业控制、无线传感器网络(WSN)、安全系统、医疗设备和消费类电子产品。其远距离传输能力和低功耗特性使其成为物联网(IoT)应用的理想选择。

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SI4401DDY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 10.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3007pF @ 20V
  • 功率 - 最大6.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4401DDY-T1-GE3TR