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SI4384DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/29 2:01:28 查看 阅读:8

SI4384DY-T1-E3 是一款由 Silicon Labs 提供的高性能、低功耗的 Sub-GHz RF 收发器芯片。该芯片支持多种调制模式,广泛应用于无线传感器网络、家庭自动化、楼宇控制以及工业无线通信等领域。其高度集成的设计和灵活配置功能使其成为开发低功耗无线应用的理想选择。
  SI4384DY-T1-E3 的主要特点是具有较宽的工作频率范围(150 MHz 至 960 MHz),能够适应不同国家和地区的无线频段要求。同时,它内置了强大的信号处理能力,可以实现远距离传输和高抗干扰性能。

参数

工作频率范围:150 MHz 至 960 MHz
  输出功率:+20 dBm(最大)
  接收灵敏度:-121 dBm(典型值)
  电源电压:1.8 V 至 3.6 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:40 引脚 QFN 封装 (6 mm × 6 mm)
  调制方式:2-FSK、GFSK、MSK、OQPSK 等
  数据速率:高达 625 kbps

特性

SI4384DY-T1-E3 具有出色的低功耗特性,在接收模式下的电流消耗仅为 17.5 mA,在休眠模式下更是低至 0.5 μA,这使得它非常适合电池供电的应用场景。
  该芯片还内置了多种功能模块,例如高效的功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、自动增益控制(AGC)以及 RSSI 检测器等,从而减少了外部元件的需求并简化了设计过程。
  此外,SI4384DY-T1-E3 提供了灵活的寄存器配置选项,用户可以通过 SPI 接口对其进行编程以满足特定需求。其卓越的共存性和多协议支持能力也使它在复杂无线环境中表现出色。

应用

无线传感器网络
  家庭自动化系统
  楼宇控制系统
  工业无线通信
  远程抄表
  安防监控
  医疗设备
  消费类电子产品

替代型号

SI4383
  SI4382
  SI4381

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SI4384DY-T1-E3参数

  • 数据列表SI4384DY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.47W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4384DY-T1-E3TR