时间：2025/6/16 17:58:36
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SI4214DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关应用中提供卓越的效率和性能。
其封装形式为 Hot FET? 3x3 mm DPAK (TO-263)，适合表面贴装工艺，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：19nC（典型值）
输入电容：1120pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：DPAK (TO-263)
结温：175°C
SI4214DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围，适合在极端环境下使用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 具备高可靠性设计，能够承受多次雪崩和短路事件。
7. 小巧的封装尺寸，便于 PCB 布局优化，节省空间。
这些特性使得 SI4214DY-T1-GE3 成为 DC/DC 转换器、电机驱动、电源管理以及负载切换等应用的理想选择。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
4. 汽车电子系统中的电池管理与保护。
5. 计算机及通信设备中的多相 VRM 应用。
6. 可再生能源系统中的逆变器和转换器模块。
由于其高效的开关特性和强大的电流处理能力，SI4214DY-T1-GE3 在需要高性能功率转换的场景中表现出色。
SI4480DY, IRF3710PbF, AO3400A
