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IRFI1010NPBF 发布时间 时间:2023/3/7 16:54:16 查看 阅读:379

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

   


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:12 毫欧 @ 26A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):55V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:49A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:130nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2900pF @ 25V

    功率 - 最大:58W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3 全封装(直引线)

    包装:管件

    供应商设备封装:TO-220AB 整包

    其它名称:*IRFI1010NPBF


资料

厂商
Infineon Technologies

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IRFI1010NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 26A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
  • 功率 - 最大58W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220AB 整包
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFI1010NPBF