SI4214DDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,属于 SiHF 系列。该器件采用 DPAK 封装(TO-252),具有高效率、低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于高频开关应用。其出色的性能使其成为电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域的理想选择。
该器件通过优化的制造工艺实现了更低的导通电阻和更高的效率,同时具备强大的电流承载能力。此外,其内置的 ESD 保护功能增强了产品的可靠性。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:18A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
总栅极电荷:7nC
输入电容:1150pF
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
3. 高额定电流能力,能够承受大电流负载。
4. 内置 ESD 保护功能,提升了器件在恶劣环境中的可靠性。
5. 小型封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备要求。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理系统(BMS)
4. 电机驱动与控制
5. 负载开关
6. 便携式设备电源管理
7. 工业自动化设备
8. 通信电源模块
SI4215DY, SI4217DY, IRF7829PBF