您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/29 2:00:17 查看 阅读:10

SI4214DDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,属于 SiHF 系列。该器件采用 DPAK 封装(TO-252),具有高效率、低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于高频开关应用。其出色的性能使其成为电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域的理想选择。
  该器件通过优化的制造工艺实现了更低的导通电阻和更高的效率,同时具备强大的电流承载能力。此外,其内置的 ESD 保护功能增强了产品的可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  总栅极电荷:7nC
  输入电容:1150pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
  3. 高额定电流能力,能够承受大电流负载。
  4. 内置 ESD 保护功能,提升了器件在恶劣环境中的可靠性。
  5. 小型封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 电机驱动与控制
  5. 负载开关
  6. 便携式设备电源管理
  7. 工业自动化设备
  8. 通信电源模块

替代型号

SI4215DY, SI4217DY, IRF7829PBF

SI4214DDY-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI4214DDY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)