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SI4210DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/22 17:19:24 查看 阅读:3

SI4210DY-T1-GE3 是一款由 Skyworks 提供的高效射频功率放大器模块,专为满足 3G 和 4G LTE 应用需求而设计。它采用先进的封装技术,具有高集成度和出色的线性性能,可显著提高系统效率并降低功耗。该模块集成了 RF 功率放大器、谐波滤波器以及匹配网络,适合用于蜂窝通信设备,如智能手机和平板电脑。
  此型号还支持多频段运行,并通过优化的偏置电路确保了稳定的输出功率和增益特性。

参数

工作频率范围:700 MHz 至 2700 MHz
  输出功率:28 dBm(典型值)
  增益:19 dB(典型值)
  电源电压:2.8 V 至 5.0 V
  静态电流:约 80 mA
  效率:超过 40%(在 28 dBm 输出功率下)
  封装尺寸:3 mm x 3 mm QFN 封装
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SI4210DY-T1-GE3 的主要特点是其卓越的射频性能与紧凑的设计相结合:
  1. 高输出功率和效率,使其非常适合于现代无线通信应用。
  2. 内置谐波滤波器有效减少高频干扰,提升整体信号质量。
  3. 宽带操作能力覆盖多个 LTE 频段,简化了设计复杂性。
  4. 简化的外部电路需求,减少了印刷电路板空间占用。
  5. 极低的关断电流有助于延长电池寿命。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于大规模生产。
  这些特点使得 SI4210DY-T1-GE3 成为移动终端设备的理想选择。

应用

该芯片主要用于以下领域:
  1. 智能手机和其他便携式电子设备中的蜂窝通信模块。
  2. 数据卡及 MiFi 路由器等物联网 (IoT) 设备。
  3. 无线接入点与远程传感器节点。
  4. 多模多频 LTE 用户设备。
  5. 全球导航卫星系统接收机。
  凭借其强大的功能和可靠性,SI4210DY-T1-GE3 可以帮助制造商实现高性能的无线连接解决方案。

替代型号

SI4212DY-T1-GE3, SI4209DY-T1-GE3

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SI4210DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35.5 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds445pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC(窄型)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4210DY-T1-GE3-NDSI4210DY-T1-GE3TR