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SI4190DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/18 22:47:03 查看 阅读:3

SI4190DY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 提供的高性能 RF 功率放大器 (PA),专为 ISM 频段应用设计。它支持 2.4GHz 频段,广泛应用于无线通信系统中,如 ZigBee、Bluetooth Low Energy (BLE) 和 IEEE 802.15.4 标准的设备。
  该器件采用先进的 CMOS 工艺制造,具有高效率和低功耗的特点,能够显著提升系统的传输距离和性能。

参数

工作频率:2400MHz 至 2500MHz
  输出功率:+20dBm(典型值)
  电源电压:1.8V 至 3.6V
  静态电流:15mA(典型值)
  效率:35%(典型值)
  增益:15dB(典型值)
  封装形式:MLP 3x3mm
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SI4190DY-T1-GE3 具有以下关键特性:
  1. 支持 2.4GHz ISM 频段,适用于多种短距离无线通信协议。
  2. 高输出功率(+20dBm),可有效增加无线信号的覆盖范围。
  3. 内置匹配网络,简化了外围电路设计并提高了射频性能。
  4. 低功耗设计,非常适合对电池寿命要求较高的便携式设备。
  5. 小尺寸封装(3x3mm MLP),节省 PCB 空间。
  6. 宽电源电压范围(1.8V 至 3.6V),适应不同的供电条件。
  7. 集成保护功能,如过温保护和短路保护,确保可靠运行。

应用

SI4190DY-T1-GE3 广泛 智能家居设备,例如智能灯泡、插座和传感器。
  2. 可穿戴设备,如健身追踪器和智能手表。
  3. 工业自动化和监控系统,例如无线传感器网络。
  4. 医疗电子设备,如便携式健康监测仪。
  5. 物联网 (IoT) 设备,用于数据采集和远程控制。
  6. 无线音频设备,如蓝牙音箱和耳机。

替代型号

SI4191DY-T1-GE3
  SI4192DY-T1-GE3
  SI4193DY-T1-GE3

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SI4190DY-T1-GE3参数

  • 特色产品ThunderFET?
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.8 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 50V
  • 功率 - 最大7.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4190DY-T1-GE3TR