类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：20V
　　栅源电压 Vgs：±12V
　　连续漏极电流 Id：6A
　　导通电阻 Rds(on)：15mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散：2W（最大值，Tc=25℃）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：TSMT6（Twin-PAK，表面贴装）

S2326SYGWA/S530-E2 具有多个显著的技术特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的能效。此外，该器件在 4.5V 栅极驱动电压下即可实现充分导通，兼容标准逻辑电平驱动器，简化了控制电路设计。
　　其次，S2326SYGWA/S530-E2 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了载流子流动路径，从而进一步降低了导通电阻并提高了开关性能。这种设计有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统在高频工作下的稳定性。
　　再次，该器件具备良好的热稳定性与散热性能，TSMT6 封装设计有助于快速将热量传导至 PCB，从而提升器件在高电流工作下的可靠性。同时，其宽广的工作温度范围（-55℃ ~ 150℃）确保了其在恶劣环境下的稳定运行。
　　最后，S2326SYGWA/S530-E2 的设计还考虑了高抗雪崩能力，使其在瞬态过电压情况下具有较强的耐受性，增强了器件在实际应用中的安全性。

S2326SYGWA/S530-E2 适用于多种电源管理和功率控制应用。其典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关控制。此外，由于其高频开关性能良好，也常用于便携式电子产品中的高效电源模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元。
　　在汽车电子领域，S2326SYGWA/S530-E2 可用于车载充电器、LED 照明驱动、车载信息娱乐系统（IVI）及车身控制模块（BCM）等应用。其优异的热性能和高可靠性也使其适用于对环境适应性要求较高的车载环境。
　　对于消费类电子产品，该器件也广泛用于电源适配器、USB PD 快充模块、无线充电器等产品中，以实现高效率、小体积的电源解决方案。

Si2302DS, BSS138K, FDS6675, IPB013N04LA