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SI4172DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/10 17:45:03 查看 阅读:13

SI4172DY-T1-GE3 是一款由 Skyworks Solutions 提供的射频 (RF) 功率放大器模块,专为蜂窝物联网、LTE 和其他无线通信应用设计。该模块集成了功率放大器、匹配网络和控制电路,可提供高效率和出色的线性性能。其紧凑的封装尺寸和低功耗特性使其非常适合于便携式和空间受限设备。
  SI4172DY-T1-GE3 支持多种调制模式,并具备优异的增益和输出功率能力。此外,它还具有良好的热性能和稳定性,能够在宽温度范围内保持一致的表现。

参数

型号:SI4172DY-T1-GE3
  频率范围:698 MHz 至 960 MHz
  输出功率:28 dBm(典型值)
  增益:30 dB(典型值)
  电源电压:3.1 V 至 4.5 V
  静态电流:约 150 mA(工作时)
  封装形式:MLP 3x3mm
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SI4172DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 高输出功率和增益,适用于需要高发射性能的应用。
  2. 内置匹配网络,简化了外部电路设计并减少了元件数量。
  3. 支持多种调制方式,满足不同通信协议的需求。
  4. 小型化的封装设计,适合空间有限的设计环境。
  5. 高效率运行,有助于延长电池寿命。
  6. 稳定的工作性能,即使在极端温度条件下也能保持一致性。
  7. 提供良好的线性度,减少失真和干扰。

应用

SI4172DY-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝物联网设备,如传感器节点、智能仪表和可穿戴设备。
  2. LTE 和其他无线通信系统中的终端设备。
  3. 工业自动化和远程监控系统。
  4. 智能家居和楼宇自动化解决方案。
  5. 医疗电子设备中的无线数据传输模块。
  6. 任何对射频信号传输有较高要求的小型化设备。

替代型号

SI4180DY-T1-GE3, SI4181DY-T1-GE3, SI4182DY-T1-GE3

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SI4172DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds820pF @ 15V
  • 功率 - 最大4.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4172DY-T1-GE3-NDSI4172DY-T1-GE3TR