时间：2025/5/29 17:24:17
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SI4100DY 是一款由 VISHAY 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用了小型化的 SOT-23 封装形式，适用于空间受限的电路设计。它具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关性能，能够满足高效功率转换及信号切换的需求。
其典型应用包括负载开关、DC-DC 转换器、电源管理模块、便携式设备中的电池保护以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：1.7A
栅极-源极电压范围：-1V 至 +6V
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
功耗：0.3W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI4100DY 的主要特性包括以下几点：
1. 高效节能：得益于其低导通电阻特性，可显著减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度：该器件具备短开关时间，从而减少了开关过程中的能量损失。
3. 小尺寸封装：采用 SOT-23 封装，适合紧凑型设计。
4. 稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
5. 安全可靠：内置过热保护功能，防止因过载导致损坏。
6. 符合 RoHS 标准：环保无铅材料制成，符合国际环保法规要求。
SI4100DY 广泛应用于多种电子领域，具体如下：
1. 移动通信设备：如智能手机和平板电脑中的电源管理单元。
2. 工业自动化：用作继电器或接触器的替代品，以实现更精确的控制。
3. 消费类电子产品：例如打印机、扫描仪等设备中的负载切换。
4. 计算机外设：硬盘驱动器、固态硬盘等存储设备中的电源控制。
5. 汽车电子系统：车身控制系统、信息娱乐系统中的低功率开关应用。
SI4402DY, BSS138, FDN340P
