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SI4100DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/29 17:24:17 查看 阅读:8

SI4100DY 是一款由 VISHAY 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用了小型化的 SOT-23 封装形式,适用于空间受限的电路设计。它具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关性能,能够满足高效功率转换及信号切换的需求。
  其典型应用包括负载开关、DC-DC 转换器、电源管理模块、便携式设备中的电池保护以及电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:1.7A
  栅极-源极电压范围:-1V 至 +6V
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ(在 Vgs=4.5V 时)
  功耗:0.3W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SI4100DY 的主要特性包括以下几点:
  1. 高效节能:得益于其低导通电阻特性,可显著减少导通损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关速度:该器件具备短开关时间,从而减少了开关过程中的能量损失。
  3. 小尺寸封装:采用 SOT-23 封装,适合紧凑型设计。
  4. 稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
  5. 安全可靠:内置过热保护功能,防止因过载导致损坏。
  6. 符合 RoHS 标准:环保无铅材料制成,符合国际环保法规要求。

应用

SI4100DY 广泛应用于多种电子领域,具体如下:
  1. 移动通信设备:如智能手机和平板电脑中的电源管理单元。
  2. 工业自动化:用作继电器或接触器的替代品,以实现更精确的控制。
  3. 消费类电子产品:例如打印机、扫描仪等设备中的负载切换。
  4. 计算机外设:硬盘驱动器、固态硬盘等存储设备中的电源控制。
  5. 汽车电子系统:车身控制系统、信息娱乐系统中的低功率开关应用。

替代型号

SI4402DY, BSS138, FDN340P

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SI4100DY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C63 毫欧 @ 4.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds600pF @ 50V
  • 功率 - 最大6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)