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SI4056DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/26 23:06:33 查看 阅读:5

SI4056DY-T1-GE3 是一款由 Skyworks 提供的高效率、高频段功率放大器模块,主要用于蜂窝通信设备中的射频信号放大。该芯片集成了输出匹配网络和偏置电路,从而简化了设计并提高了性能。
  SI4056DY-T1-GE3 工作在 GSM850/EGSM 和 DCS/PCS 频段(约 824-960 MHz 和 1710-1990 MHz),适用于 2G/3G/4G 网络中的手机、数据卡和其他无线通信终端设备。它采用了先进的 GaAs HBT 工艺制造,确保了高线性度和低功耗。

参数

工作频率:824-960 MHz, 1710-1990 MHz
  输出功率:+33 dBm 典型值
  增益:25 dB 典型值
  电源电压:3.4 V
  静态电流:60 mA 典型值
  封装形式:SOT-363 (1.6 x 2.0 x 0.75 mm)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

高效率的功率放大设计,能够在高频段提供稳定的增益表现。
  内置匹配网络和偏置电路,减少了外围元件的需求并优化了系统集成。
  支持多种调制模式,如 GMSK 和 EDGE,满足不同应用场景下的需求。
  具有良好的线性度和抗干扰能力,确保信号质量稳定。
  体积小巧且易于安装,非常适合对空间要求严格的便携式设备。
  采用无铅工艺制造,符合 RoHS 标准,环保友好。

应用

主要应用于蜂窝电话、智能手机、平板电脑、移动热点设备以及物联网(IoT)终端等无线通信产品中。
  适用于 2G/3G/4G 网络的射频前端模块设计。
  可用于 GSM850、EGSM、DCS 和 PCS 频段的功率放大需求。
  适合需要高效率和小尺寸解决方案的产品开发项目。

替代型号

SI4057DY-T1-GE3
  SI4058DY-T1-GE3

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SI4056DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 50V
  • 功率 - 最大5.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4056DY-T1-GE3TR