时间：2025/5/31 1:33:41
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SI3993DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，非常适合于需要高效率和低损耗的应用场景。其封装形式为 TinyPower? 2x2 mm DFN8 (TSSOP8)，有助于节省电路板空间并提升散热性能。
这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、通信设备、计算机及外设等领域，特别适合 DC/DC 转换器、负载开关、同步整流和电机驱动等应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：7.1A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：21nC
输入电容：1340pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装类型：DFN8 (TSSOP8)
SI3993DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，能够满足高频应用需求。
3. 小尺寸封装设计，便于在紧凑型设计中使用。
4. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 可靠性高，能够在宽温度范围内稳定工作。
6. 内置反向二极管，简化了电路设计并增强了功能安全性。
7. 支持大电流操作，适用于多种功率转换和控制场合。
该 MOSFET 常用于以下应用场景：
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC/DC 转换器的核心开关元件。
3. 负载开关，在各种便携式设备中实现快速开启和关闭。
4. 电池管理系统的保护和控制。
5. 电机驱动电路，用于调节速度和方向。
6. LED 照明驱动，提供精确的电流控制。
7. 各种工业自动化和汽车电子系统中的功率级组件。
SI3993DS, SI3461DS
