H5TC2G83FFR-PBI 时间：2025/9/2 3:28:36 阅读：8

H5TC2G83FFR-PBI 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动式低功耗DDR3（LPDDR3）系列，广泛用于智能手机、平板电脑以及其他对功耗敏感的便携式电子设备中。其主要特点包括低电压操作、高存储密度和较高的数据传输速率。H5TC2G83FFR-PBI 的容量为2Gb（Gigabit），采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，适用于需要高集成度和高性能的应用场景。

参数

容量：2Gb
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　封装类型：FBGA
　　电压：1.2V ~ 1.8V（核心电压为1.2V，I/O电压为1.8V）
　　数据传输速率：800Mbps ~ 1600Mbps
　　数据总线宽度：x8
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装尺寸：根据具体封装型号确定，通常为6.0mm x 8.0mm 或更小
　　时钟频率：高达800MHz（在1600Mbps速率下）

特性

H5TC2G83FFR-PBI 芯片具有多项优异的性能特性。首先，它采用了LPDDR3标准，支持更低的电压运行，显著降低了整体功耗，这对于电池供电设备尤为重要。其次，该芯片支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，以进一步优化能耗管理。
　　在性能方面，H5TC2G83FFR-PBI 支持高达1600Mbps的数据传输速率，能够满足高性能计算和图形处理的需求。其x8数据总线宽度设计有助于提高数据吞吐量并减少PCB布线复杂度。
　　该芯片还具备良好的热稳定性和电磁兼容性（EMC），适用于高密度和高频设计环境。此外，它采用FBGA封装技术，提供了更高的引脚密度和更好的电气性能，同时减少了封装体积，适应了小型化设备的设计趋势。
　　可靠性方面，H5TC2G83FFR-PBI 支持自动纠错功能，并具有较宽的工作温度范围（-40°C ~ +85°C），适用于各种严苛的使用环境。

应用

H5TC2G83FFR-PBI 主要应用于需要高性能和低功耗的移动设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式游戏设备。此外，它也适用于嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及智能家电等对内存性能和能耗有较高要求的电子产品。其高数据传输速率和低电压特性使其成为处理高清视频、复杂图形和多任务操作的理想选择。