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SI3981DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/23 10:49:39 查看 阅读:15

SI3981DV-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该芯片具有高功率密度和低导通电阻的特点,适用于需要高效开关性能的应用场景,例如电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等。其封装形式为 TO-252 (DPAK),有助于提高散热性能并支持表面贴装技术。
  SI3981DV-T1-E3 的设计旨在优化功耗与空间利用率之间的平衡,同时提供可靠的电气性能和坚固的机械结构。

参数

类型:MOSFET
  极性:N沟道
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
  Id(连续漏极电流):43A
  封装:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  栅极电荷:38nC
  Vgs(th)(栅极开启电压):2.2V 至 4.0V
  总功耗:220W

特性

SI3981DV-T1-E3 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),确保在高负载条件下减少功耗和热量产生。
  2. 高 Id(连续漏极电流)能力,使其适合于大电流应用。
  3. 支持表面贴装技术 (SMD),便于自动化生产和提高可靠性。
  4. 宽工作温度范围,适应极端环境条件下的使用需求。
  5. 高效率的开关性能,降低系统整体能量损失。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  7. 内部采用优化的硅工艺,提升了器件的稳定性和耐用性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机控制和驱动电路中的电子开关。
  3. 各种电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率级管理。
  5. 汽车电子系统中的高电流切换和保护功能。
  6. 可再生能源设备(如太阳能逆变器)中的关键组件。

替代型号

SI3982DS, IRF540N, FDP55N60E

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SI3981DV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3981DV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C185 毫欧 @ 1.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大800mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3981DV-T1-E3TR